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面议职位性质:
全职年龄要求:
不限招聘人数:
1人职位类别:
电子元器件工程师性别要求:
不限学历要求:
本科工作经验:
10年以上工作区域:
经开区?开发射频器件晶圆制造工艺,包括光刻,ICP / RIE蚀刻,PECVD,PVD和电子束蒸发。 ?设计并运行DOE实验以优化过程参数。 ?创建和完善过程和流程的文档。 ?设备故障排除。 ?监视和维护过程控制。 ?晶圆工艺表征。 ?与设计工程师合作以优化设备性能。
?工学学士学位和10年以上工作经验(MSEE或博士学位)为首选。 ?在先进的化合物半导体技术(例如GaN,GaAs或其他化合物半导体材料)方面具有扎实的经验。 ?具有III-V工艺的经验,例如PECVD,RIE,SEM,ICP,MOCVD,光刻,湿法蚀刻,研磨和抛光,电子束光刻,溅射和电子束蒸发。 ?具有用于GaN或其他III-V化合物半导体器件的HEMT(高电子迁移率晶体管)的晶片制造经验。 ?具备MOCVD外延生长化合物半导体的知识者优先。 ?必须井井有条,可以在最少的监督下独立工作。
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